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IRF7706GPbF
3200
2800
2400
V GS = 0V,   f = 1MHz
C iss = C gs + C gd , C ds SHORTED
C rss = C gd
C oss = C ds + C gd
Ciss
16
14
12
I D = -7.0A
V DS =-24V
V DS =-15V
2000
1600
1200
10
8
6
800
400
Coss
Crss
4
2
0
1
10
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
100
0
0
10     20     30     40     50
Q G , Total Gate Charge (nC)
60
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
100
100
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
10
T J = 150 ° C
10
100us
T J = 25 C
1
°
1ms
T C = 25 ° C
T J = 150 ° C
0.1
0.2
V GS = 0 V
0.5        0.8        1.1
-V SD ,Source-to-Drain Voltage (V)
1.4
10ms
Single Pulse
1
0.1             1             10
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
100
4
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
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